IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）近日发布了一种最新系列的PolarP2 MOSFET。这是IXYS快速强大的最新一代Polar-series Power MOSFET，以IXYS特有的PolarP2技术为平台的500V器件。
这些器件有最优化的导通电阻和门电容，其FOM(导通电阻/Qg)只有12欧姆/纳库(Ω/nC)，优异的性能和节能性使开发更高效的电源系统成为可能。这些电源系统包括在能量交换和太阳能发电系统等。这些器件在开关/谐振电源、不间断电源(UPS)、基站、服务器、消费类电器等应用同样是理想的。这些器件也非常适合以下应用：功率因数校正电路、电机驱动器、电子镇流器、激光驱动器、直流-直流转换器、自动伺服控制。
这个最新发布的PolarP2 MOSFET系列包含了两个子类别，提供给最终客户更灵活的系统设计以及给予客户机会去选择最佳性价比的器件。这些子类别包括标准的低损耗版本的PolarP2和高性能版本PolarP2 HiPerFET。
标准的PolarP2 MOSFET的额定电流有16、24、42和52安培几个规格。标准的PolarP2 MOSFET专门为设计者提供了高性价比的器件。和原来的一代相比，这个新标准的版本降低了高达20%的导通电阻，同时维持低门控充电值(43nC)。这个系列器件有雪崩能量标定，为器件的瞬间过压提供安全保障。
PolarP2 HiPerFET版本的额定电流有24、42、52、74、94和120安培几个规格。这种高性能的版本保留了原本PolarP2的特性和优点，同时优化了内置的反并联二极管，从而提升了器件的dv/dt(电容充电或放电时的电压波形的最大斜率)能力，提升了反向恢复速度(trr<=250ns)。HiPerFET特有优化的快速恢复二极管使得器件有以下特性：短暂的快速反应、提高能源效率、提高耐用性以及较高的工作频率。HiPerFET器件超结实的特性和能量的转换能力，使得这些器件成为零电压开关拓扑理想的选择，因为二极管优异恢复特性对零电压切换非常重要。
