FIO50-12BD
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：i4-Pac?-5
技术参数：IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5
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参数详情：
制造商产品型号：FIO50-12BD制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT 1200V 50A 200W I4PAC5系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，30A功率-最大值：200W开关能量：4.6mJ（开），2.2mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：150nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：600V，30A，39 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：150ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：i4-Pac?-5FIO50-12BD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
