IXDP20N60B
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT 600V 32A 140W TO220AB
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参数详情：
制造商产品型号：IXDP20N60B制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT 600V 32A 140W TO220AB系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：NPT电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：32A电流-集电极脉冲(Icm)：40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，20A功率-最大值：140W开关能量：900μJ（开），400μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：70nC25°C时Td（开/关）值：-测试条件：300V，20A，22 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3IXDP20N60B的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
