IXFA3N120TRL
制造厂商：IXYS
类别封装：FET - 单，TO-263-3，D2Pak
技术参数：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
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参数详情：
制造商产品型号: IXFA3N120TRL制造厂家名称: IXYS功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263系列: HiPerFET?FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 欧姆 @ 1.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1050pF @ 25V功率 - 最大值: 200W安装类型: 表面贴装封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装: TO-263IXFA3N120TRL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
