IXFE36N100
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-227B
技术参数：MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
（专注销售IXYS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：IXFE36N100制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：HiPerFET?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：1000V25°C时电流-连续漏极(Id)：33A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：240 毫欧 @ 18A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 8mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：455nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：15000pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：580W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：SOT-227BIXFE36N100的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
