IXFN120N20
制造厂商：IXYS
类别封装：场效应管模块，SOT-227B
技术参数：MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
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参数详情：
制造商产品型号：IXFN120N20制造厂家名称：IXYS描述：MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B系列：HiPerFET?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：360nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9100pF @ 25V功率 - 最大值：600W安装类型：底座安装封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227BIXFN120N20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
