IXFN130N30
制造厂商：IXYS
类别封装：场效应管模块，SOT-227B
技术参数：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
（专注销售IXYS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：IXFN130N30制造厂家名称：IXYS描述：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B系列：HiPerFET?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：300V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：130A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：380nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14500pF @ 25V功率 - 最大值：700W安装类型：底座安装封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227BIXFN130N30的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
