IXFN50N120SIC
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-227B
技术参数：SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
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参数详情：
制造商产品型号：IXFN50N120SIC制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：47A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 40A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：100nC @ 20VVgs（最大值）：+20V，-5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 1000VFET功能：-功率耗散（最大值）：-工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：SOT-227BIXFN50N120SIC的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
