IXFT20N100P
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-268
技术参数：MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
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参数详情：
制造商产品型号：IXFT20N100P制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 1000V 20A TO268系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：HiPerFET?, PolarP2?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：1000V25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：570 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：126nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7300pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：660W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-268IXFT20N100P的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
