IXGH50N90B2
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 900V 75A 400W TO247
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参数详情：
制造商产品型号：IXGH50N90B2制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT 900V 75A 400W TO247系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：HiPerFAST?零件状态：有源IGBT类型：PT电压-集射极击穿（最大值）：900V电流-集电极(Ic)（最大值）：75A电流-集电极脉冲(Icm)：200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，50A功率-最大值：400W开关能量：4.7mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：135nC25°C时Td（开/关）值：20ns/350ns测试条件：720V，50A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3IXGH50N90B2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
