IXGK120N120B3
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-264-3，TO-264AA
技术参数：IGBT 1200V 200A 830W TO264
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参数详情：
制造商产品型号：IXGK120N120B3制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT 1200V 200A 830W TO264系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：GenX3?零件状态：有源IGBT类型：PT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：200A电流-集电极脉冲(Icm)：370A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，100A功率-最大值：830W开关能量：5.5mJ（开），5.8mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：470nC25°C时Td（开/关）值：36ns/275ns测试条件：600V，100A，2 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AAIXGK120N120B3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
