IXGQ35N120BD1
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：IGBT 1200V 75A 400W TO3P
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参数详情：
制造商产品型号：IXGQ35N120BD1制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT 1200V 75A 400W TO3P系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：75A电流-集电极脉冲(Icm)：200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.3V @ 15V，35A功率-最大值：400W开关能量：900μJ（开），3.8mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：140nC25°C时Td（开/关）值：40ns/270ns测试条件：960V，35A，3 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：40ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3IXGQ35N120BD1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
