IXGX82N120B3
制造厂商:IXYS
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
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参数详情:
制造商产品型号:IXGX82N120B3制造商:IXYS公司(已被Littlefuse美国力特半导体收购)描述:IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:GenX3?零件状态:有源IGBT类型:PT电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):230A电流-集电极脉冲(Icm):500A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.2V @ 15V,82A功率-最大值:1250W开关能量:5mJ(开),3.3mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:350nC25°C时Td(开/关)值:30ns/210ns测试条件:600V,80A,2 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-安装类型:通孔封装:TO-247-3IXGX82N120B3的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。