IXSQ20N60B2D1
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：IGBT 600V 35A 190W TO3P
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参数详情：
制造商产品型号：IXSQ20N60B2D1制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT 600V 35A 190W TO3P系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：停产IGBT类型：PT电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：35A电流-集电极脉冲(Icm)：-不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，16A功率-最大值：190W开关能量：380μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：33nC25°C时Td（开/关）值：30ns/116ns测试条件：-反向恢复时间(trr)：30ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3IXSQ20N60B2D1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
