IXTA08N100D2-TRL
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-263（IXTA）
技术参数：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
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参数详情：
制造商产品型号：IXTA08N100D2-TRL制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：1000V25°C时电流-连续漏极(Id)：800mA（Tj）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：21 欧姆 @ 400mA，0V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 25μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14.6nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：325pF @ 25VFET功能：耗尽模式功率耗散（最大值）：60W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263（IXTA）IXTA08N100D2-TRL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
