IXTA1N100
制造厂商:IXYS
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-263(IXTA)
技术参数:MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
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参数详情:
制造商产品型号:IXTA1N100制造商:IXYS公司(已被Littlefuse美国力特半导体收购)描述:MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):1000V25°C时电流-连续漏极(Id):1.5A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11 欧姆 @ 1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 25μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14.5nC @ 10VVgs(最大值):±30V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):54W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-263(IXTA)IXTA1N100的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。