IXTA3N120TRL
制造厂商：IXYS
类别封装：单端场效应管，TO-263
技术参数：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
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参数详情：
制造商产品型号：IXTA3N120TRL制造厂家名称：IXYS描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.5 欧姆 @ 1.5A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1350pF @ 25V功率 - 最大值：200W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263 （IXTA）IXTA3N120TRL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
