IXTB30N100L
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PLUS264?
技术参数：MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
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参数详情：
制造商产品型号：IXTB30N100L制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：1000V25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 500mA，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：545nC @ 20VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：13200pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：800W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：PLUS264?IXTB30N100L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
