IXTN600N04T2
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-227B
技术参数：MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
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参数详情：
制造商产品型号：IXTN600N04T2制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：GigaMOS?, TrenchT2?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：600A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.05 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：590nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：40000pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：940W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：SOT-227BIXTN600N04T2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
