IXXP12N65B4D1
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3
技术参数：IGBT
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参数详情：
制造商产品型号：IXXP12N65B4D1制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：XPT?, GenX4?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：38A电流-集电极脉冲(Icm)：70A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，12A功率-最大值：160W开关能量：440μJ（开），220μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：34nC25°C时Td（开/关）值：13ns/158ns测试条件：400V，12A，20 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：43ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3IXXP12N65B4D1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
