IXYA15N65C3D1
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2
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参数详情：
制造商产品型号：IXYA15N65C3D1制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：DISC IGBT XPT-GENX3 TO-263D2系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：GenX3?, XPT?零件状态：有源IGBT类型：PT电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：38A电流-集电极脉冲(Icm)：80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，15A功率-最大值：200W开关能量：270μJ（开），230μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：19nC25°C时Td（开/关）值：15ns/68ns测试条件：400V，15A，20 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：20ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABIXYA15N65C3D1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
