IXYA20N120C3HV
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：IGBT
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参数详情：
制造商产品型号：IXYA20N120C3HV制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：XPT?, GenX3?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：96A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A功率-最大值：278W开关能量：1.3mJ（开），1mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：53nC25°C时Td（开/关）值：20ns/90ns测试条件：600V，20A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：29ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABIXYA20N120C3HV的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
