IXYA30N120A4HV
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
技术参数：DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2
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参数详情：
制造商产品型号：IXYA30N120A4HV制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：GenX4?, XPT?零件状态：有源IGBT类型：PT电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：106A电流-集电极脉冲(Icm)：184A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A功率-最大值：500W开关能量：4mJ（开），3.4mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：57nC25°C时Td（开/关）值：15ns/235ns测试条件：960V，25A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：42ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABIXYA30N120A4HV的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
