IXYB82N120C3H1
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-264-3，TO-264AA
技术参数：IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264
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参数详情：
制造商产品型号：IXYB82N120C3H1制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：GenX3?, XPT?零件状态：有源IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：164A电流-集电极脉冲(Icm)：320A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.2V @ 15V，82A功率-最大值：1040W开关能量：4.95mJ（开），2.78mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：215nC25°C时Td（开/关）值：29ns/192ns测试条件：600V，80A，2 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：420ns工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AAIXYB82N120C3H1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
