IXYN120N65C3D1
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：SOT-227-4，miniBLOC
技术参数：IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI
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参数详情：
制造商产品型号：IXYN120N65C3D1制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT MOD DISC XPT-GENX3 SOT227UI系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：GenX3?, XPT?零件状态：有源IGBT类型：PT电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：190A电流-集电极脉冲(Icm)：620A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，100A功率-最大值：830W开关能量：1.25mJ（开），500μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：265nC25°C时Td（开/关）值：28ns/127ns测试条件：400V，50A，2 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：29ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOCIXYN120N65C3D1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
