MWI75-12T7T
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：E2
技术参数：IGBT MODULE 1200V 110A 355W E2
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参数详情：
制造商产品型号：MWI75-12T7T制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：IGBT MODULE 1200V 110A 355W E2系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：有源IGBT类型：沟道配置：三相反相器电压-集射极击穿（最大值）：1200V电流-集电极(Ic)（最大值）：110A功率-最大值：355W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，75A电流-集电极截止（最大值）：4mA不同?Vce时输入电容(Cies)：5.35nF @ 25V输入：标准NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）安装类型：底座安装封装：E2MWI75-12T7T的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
