VWM200-01P
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：V2-PAK
技术参数：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
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参数详情：
制造商产品型号：VWM200-01P制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：MOSFET 6N-CH 100V 210A V2系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：6 N-沟道（3 相桥）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：210A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.2 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：430nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-功率-最大值：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：V2-PAKVWM200-01P的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
